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Overview of Quartz Base Material Grades
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Material
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Rohstoff
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Herstellung
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Merkmale/Besonderheiten
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Produkte und Anwendung
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CFQ 099
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P
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E
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Basisqualität für industrielle Anwendungen
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Platten- und Rohrmaterial
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HSQ 100
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P
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E
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Quarzglas in Halbleiterqualität Stangen
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Platten- und Rohrmaterial
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HSQ 300
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P
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E
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Quarzglas in Halbleiter-Qualität thermisch
stabil bis 1160° (kurzzeitig 1300°C), geringe Wärmeleitfähigkeit von 1,38 - 2,68 W/mK, Alkalimetallgehalt: < 1,5 ppm, OH-Gehalt: < 30 ppm
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Halbleiterprozesse mit unterschiedlich hohen Reinheitsanforderungen zwischen Raum- temperatur und hohen Temperaturen: CVD-Rohre, Diffusionsöfen, Epitaxiekammern, Ätzanlagen; optische Anwendungen, Rohre, Barren, Stäbe, Blöcke, Platten, Scheiben, Flansche
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HSQ 330
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P
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E
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Rohre, Barren, Stäbe, Blöcke, Platten, Scheiben mit garantierter chemischer Reinheit
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Halbleiterprozesse mit unterschiedlich hohen Reinheitsanforderungen zwischen Raum- temperatur und hohen Temperaturen: CVD-Rohre, Diffusionsöfen, Epitaxiekammern, Ätzanlagen; optische Anwendungen, Rohre, Barren, Stäbe, Blöcke, Platten, Scheiben, Flansche
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HSQ 400
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P
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E
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Temperaturbeständigkeit durch gezielte, aber nur oberflächliche Rekristallisation
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Langzeit-Hochtemperatur-Prozesse über 1160°C
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HSQ 700
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P
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E
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Geringer Alkaligehalt durch Quarzsand
höherer Reinheit, Alkalimetall-/OH-Gehalt
(< 0.05 ppm/<30 ppm)
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Halbleiterprozesse mit sehr hohen Reinheitsanforderungen
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HSQ 800
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P
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E
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Geringer Alkaligehalt und Temperatur- beständigkeit durch gezielte, aber nur oberflächliche Rekristallisation
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Langzeit-Hochtemperatur-Prozesse über 1160°C mit höchsten Reinheitsanforderungen
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HSQ 900
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SQ
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S
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Ultrarein, OH < 0,2 ppm, Gesamtverunreinigung im ppb-Bereich, minimale Anzahl an Defektzentren
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Anwendungen mit höchsten Reinheitsanforderungen,
z. Bsp. in Halbleiterprozessen
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HSQ 910
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SQ
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S
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Ultrarein, OH < 250ppm Gesamtverunreinigung im ppb-Bereich, minimale Anzahl an Defektzentren
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Anwendungen mit höchsten Reinheitsanforderungen,
z. Bsp. in Halbleiterprozesse
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HSQ 351
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P
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F
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OH-Gehalt 175 ppm
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Diffusionsbarriere durch OH-Gruppen, z.B. in
Diffusionsprozessen in der Chip-Produktion
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HSQ 751
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P
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F
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OH-Gehalt 175 ppm, höhere Reinheit
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Diffusionsbarriere mit höchsten Reinheitsanforderungen
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OM 100
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P
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K
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Opakes Material höchster Reinheit mit hohem Anteil an Mikroporen, IR- und Temperatur- abschirmung, diffuse Reflexion im infraroten und optischen Wellenlängenbereich
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Wärmeisolator, IR-Stopper mit Halbleiter- reinheit, Spacer, Flansche, Platten
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OFM 70 Rotosil®
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P
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L
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Opakes Material, extrem niedrige thermische Ausdehnung, hohe Temperaturwechsel- beständigkeit, hohe Erweichungstemperatur, geringe Wärmeleitfähigkeit, geringe Trans- mission, hohe Beständigkeit gegenüber aggressiven Medien, hohe Beständigkeit gegenüber Schmelzen (z.B. Au, Ag, Si)
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Rohre, Tiegel, Platten, Flansche etc. für Edelmetall recycling, Leuchtstoffindustrie, Hochtemperaturprozesse, Elektrofilter- herstellung, chem. Verfahrenstechnik (Behälter, Rohre, Schalen usw.), Kalzinier- und Glühprozesse
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OFM 370
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P
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L
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Siehe OFM 70 mit höherer chemischer Reinheit
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OFM 970
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SQ
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L
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Siehe OFM 70 mit synthetischer Qualität
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Rohstoff: P = Pegmatit ; NB = Natürlicher Bergkristall; ZK = Zucht-Quarzkristall,
SQ = Synthetischer Quarz Herstellung: E = elektrisch F = flammgeschmolzen,
S = synthetisch, K = keramisch, L = Lichtbogen
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